Mardi 21 Juin @ VIPress.netLe Léti dévoile ses premiers transistors « HighK Metal Gate » sur tranches 300 mm
Un an après l’inauguration de sa plate-forme Nanotec 300, dédiée à la recherche technologique amont pour la fabrication de composants électroniques de 45 et 32 nanomètres sur tranches de silicium de 300 mm, le CEA Léti démontre l’efficacité de son choix stratégique en sortant ses premiers transistors HighK Metal gate sur tranches 300 mm. En collaboration avec les industriels de l’Alliance Crolles 2 -STMicroelectronics, Freescale et Philips-, les chercheurs du CEA Leti viennent de démontrer qu’il est possible d’intégrer en 300 mm des structures MOS associant un matériau isolant à haute permittivité (HfSiON), et une grille métallique, deux ingrédients qui permettent de diminuer les courants parasites à travers l’isolant et d’éviter la déplétion de la grille ; il est ainsi possible d’obtenir de faibles consommations au repos et des performances de rapidité exceptionnelles. Ce nouvel empilement de grille ouvre la voie aux technologies 45nm. Inaugurée l’an dernier, la plate-forme Nanotec 300 représentera à terme un investissement de 300 millions d’euros. Elle comprend déjà 1500 m2 de salles blanches et un premier parc de 25 machines, dédiés à la fabrication et la caractérisation de composants électroniques sur tranches de 300 millimètres. Axé sur la recherche technologique amont, Nanotec 300 vient compléter le dispositif de recherche et développement mis en place par l’Alliance à Crolles en 2002.
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