Riber, fabricant français d’équipements d'épitaxie par jets moléculaires et de services associés destinés à l'industrie des semiconducteurs composés, a rejoint le Programme d'Affiliation Industriel de IMEC (IIAP) dans le cadre de son projet ‘‘Dispositifs Germanium et III-V'' pour les dispositifs CMOS.

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Ce projet vise à démontrer que les dispositifs à base de germanium et matériaux III-V pourraient être utilisés dans le dispositif CMOS au delà du nœud technologique 22 nm de l'ITRS (Internationnal Technology Roadmap for Semiconductors). Pour ce projet, Riber va installer à IMEC un équipement d'épitaxie par jets moléculaires.

Le projet ‘‘Dispositifs Germanium et IIII-V'' fait partie de la plate-forme de recherche d'IMEC pour les dispositifs en deçà du nœud technologique de 45 nm qui est en cours d'exécution avec les principaux partenaires du centre de R&D de Louvain : Infineon, Intel, Matsushita, Philips, Samsung, STMicroelectronics, Texas Instruments et TSMC.