Fujitsu annonce matin son projet d’investir 120 milliards de yens (plus de 1 milliard de dollars) dans la construction d’une unité de production de semiconducteurs en technologie 65 nm sur tranches de 30 mm de diamètre au Japon.

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L’usine devrait être opérationnelle au printemps 2007 et disposer au départ d’une capacité de traitement mensuelle de 10 000 tranches qui pourra être portée à l’avenir à 25 000 tranches. Parallèlement, le Japonais va également augmenter la capacité de production de sa première unité de production sur tranches de 300 mm (en technologie 90 nm) pour la porter à 15 000 tranches par mois au cours de l’exercice fiscal.