La technologie radiocoms HSDPA (High Speed Download Packed Access), qui devrait être déployée au cours des prochaines années pour offrir enfin aux mobiles de véritables hauts débits (3,6 Mbit/s) et délivrer à l’usager les promesses non tenues par l’UMTS (seulement 300 Kbit/s) ne sera pas sans répercussions sur le contenu semiconducteurs des terminaux, avertit ABI Research.

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Pour le cabinet d’études américain, ce sont les mémoires flash qui connaîtront le principal changement. Jusqu’ici, les flash à architecture NOR ont dominé le marché des mobiles. Mais l’intégration de la technologie HSDPA permettra aux flash à architecture NAND de s’imposer aux dépens des flash NOR, souligne l’étude. Principaux fournisseurs de flash NOR, Intel et AMD/Fujitsu devront donc s’adapter sous peine de voir leurs parts de marché fondre devant les assauts des tenants de l’architecture NAND (Samsung, Toshiba, etc.), avertit ABI Research. Le temps presse, puisque, selon l’étude, la technologie HSDPA commencera à être déployée dans les réseaux dès 2005, alors que les téléphones mobiles HSDPA seront disponibles en quantités en 2006, d’abord au Japon, puis ensuite simultanément en Europe et en Amérique du Nord.