L’Allemand Infineon et le Taïwanais Nanya Technology ont annoncé jeudi la qualification d’une technologie 90 nm pour la production de Drams, une technologie développée conjointement dans le centre de recherche d’Infineon à Dresde.

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Infineon a déjà démarré à Dresde la production de circuits 90 nm sur tranches de 300 mm de diamètre. Fin mai, le fabricant de semiconducteurs allemand avait réalisé le passage de 5% de sa production totale de Drams d’une technologie 110 nm à une technologie 90 nm. Selon Infineon, ce passage permet de réduire la taille des puces et d’augmenter le nombre de puces par tranche de plus de 30%. Pour sa part, Inotera Memories, la société commune de production à Taïwan de mémoires entre Infineon et Nanya réalise actuellement la transition vers le 90 nm.