TI posera le 18 novembre prochain la première pierre d’une unité de fabrication sur tranches de 300 mm de diamètre, à Richardson, au Texas.

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L’usine, quand elle sera pleinement opérationnelle (la date n’est pas précisée), emploiera 1000 personnes pour la production de semiconducteurs en technologie 65 nm. Le projet, annoncé pour la première fois en juin 2003, représente un investissement de 3 milliards de dollars. Texas Instruments possède déjà une fab 300 mm à Dallas, dont la capacité de traitement atteindra 14 000 tranches par mois à la fin de l’année.